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氣氛管式爐有漏電保護等安全操作功能

氣氛管式爐主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、金屬熱處理等行業(yè)進行真空燒結、氣氛保護燒結、真空鍍膜、CVD實驗、物質成分測量等場合。氣氛管式爐主要功能和特點：1、爐膛采用進口氧化鋁多晶纖維材料，保溫性能好，耐用，節(jié)能。2、加熱元件采用硅鉬棒，經(jīng)久耐用,zui高溫度可達1700℃。3、采用雙層殼體結構，結合熱感應技術，配有風冷系統(tǒng)，使爐體表面溫度快速降溫。4、采用KF快速法蘭連接，減少了加熱管損壞的可能，取、放物料更加方便快捷。5、智能...

簡單說明管式爐使用方法和特點

管式爐是實驗室常用的一種加熱設備，主要用于固體和液體樣品的加熱、合成、灰化以及退火等實驗。它通常由一個加熱腔室、溫控系統(tǒng)、進氣和排氣口以及支撐架等組成。下面將詳細介紹它的使用方法和特點。一、使用方法1.準備工作：-首先要確保管式爐已經(jīng)正確安裝，并接通電源。-檢查爐膛內是否清潔，有無異物。-根據(jù)實驗需求，選擇合適的石英管或金屬管作為反應容器。2.樣品放置：-將樣品放入反應管中，并用適當?shù)膴A子或螺旋夾固定在適當位置。-確保樣品與加熱元件之間有足夠的距離，以免加熱不均勻或損壞樣品。...

立式管式爐安全保護與標準配件

立式管式爐是一種常見的實驗室設備，用于在特定溫度下處理樣品或材料。為了確保操作人員的安全以及設備的正常運行，須具備一系列安全保護措施。立式管式爐安全保護：1、殼體結構：雙層爐體，配有風冷系統(tǒng)，確保設備運行時，爐體外殼接近常溫，節(jié)能，避免意外發(fā)生。2、溫控安全：具有過溫保護、斷偶保護、漏電保護功能，設備運營安全可靠。3、密封系統(tǒng)：該爐頂蓋和爐門(其他地方已經(jīng)焊接好)均采用硅膠O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸氣密性好、可保證12小時壓力表指針不偏轉。4、開蓋保護：該爐安裝有行...

小編告訴你什么是氣氛管式爐

氣氛管式爐以硅鉬棒為發(fā)熱元件；雙層風冷結構；高純氧化鋁纖維真空吸附一次成型；30段可編程智能控制（可外接遠程控制）；加熱區(qū)長度660mm；可通氣氛及抽真空，爐體采用雙層殼體結構，并帶有風冷系統(tǒng)，使得殼體表面的溫度小于60度，爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，減少熱量的損失，內爐膛表面涂有高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。該設備是科佳電爐自行研制開發(fā)的高性能高節(jié)能的新型管式電爐，產(chǎn)品具有先進合理的結構，升溫快，操作簡便，密封性能好，可預抽真空...

真空氣壓爐的詳細介紹

一、引言在現(xiàn)代工業(yè)制造和科研領域，真空氣壓爐作為一種重要的熱處理設備，其重要性不言而喻。它能夠在高溫、高真空或特定氣氛環(huán)境下，對材料進行加熱、燒結、熔化、熱處理等工藝操作，從而改變材料的物理、化學或機械性能。本文將詳細探討真空氣壓爐的工作原理、應用領域、技術發(fā)展以及未來展望，以期為相關領域的從業(yè)人員和研究人員提供參考。二、真空氣壓爐的工作原理真空氣壓爐主要由爐體、真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氣氛控制系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等部分組成。其工作原理是：首先，通過真空系統(tǒng)將爐體內的空氣抽出，形成...

cvd真空管式爐的操作便捷性及結構實用性

cvd真空管式爐的操作便捷性：1、cvd真空管式爐，氣路連接方式采用了快速連接法蘭結構。2、使取放物料過程簡化，只需一支卡箍便可完成氣路連接，方便操作。3、取消了復雜的法蘭安裝過程，減少了爐管因安裝造成損壞的可能。cvd真空管式爐的結構實用性：1、cvd真空管式爐，爐膛材料采用的多晶莫來纖維真空吸附制成，可使物料在不同溫度段可同時加溫，更有效的節(jié)能，節(jié)能50%，溫場均勻。電熱元件一端采用表面溫度1700℃的硅鉬棒。另一端采用表面溫度1500℃的硅碳棒。2、密封法蘭采用雙環(huán)密封...

上海皓越管式爐安裝方法

上海皓越管式爐安裝方法爐體的安裝電爐可放置在工作臺上，以適合人體的生理操作高度，工作臺的有效承載應大于200KG。電氣安裝電源配置：220V（380V）。按用戶的電控柜配置功率應大于4Kw。熱電偶插入爐膛深度25mm，采用N分度號補償導線與控溫儀表聯(lián)接。注意：應先裝石英管后裝熱電偶，熱電偶不能與石英管接觸。電爐和控制柜整體接地，接地線接地電阻應小于4Ω。電阻絲接線方式：二根并聯(lián)，電源：單相220V（或380V）。檢查及緊固由于運輸?shù)仍?，應檢查爐體各螺釘?shù)木o固情況，確認無誤。...

上海CVD管式爐特點及其制備的必要條件

上海CVD管式爐特點：淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。制備的必要條件1）在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當?shù)乃俣缺灰敕磻遥?）反應產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質外，都必須是揮發(fā)性的；3）沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。何為CVD管式爐？CVD是ChemicalVaporDeposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學...